WWW.DIS.KONFLIB.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА

 
<< HOME
Научная библиотека
CONTACTS

Pages:     || 2 | 3 | 4 |

«Кафедра электрификации и автоматизации технологических процессов Физические основы электроники Методические указания Ухта, УГТУ, 2013 УДК 621.38(075.8) ББК 32.85я7 Ф 50 Ф 50 ...»

-- [ Страница 1 ] --

МИНОБРНАУКИ РОССИИ

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение

высшего профессионального образования

«Ухтинский государственный технический университет»

(УГТУ)

Кафедра электрификации и автоматизации технологических процессов

Физические основы электроники

Методические указания

Ухта, УГТУ, 2013

УДК 621.38(075.8) ББК 32.85я7 Ф 50 Ф 50 Физические основы электроники [Текст] : метод. указания / З. Х. Ягубов, Л. П. Бойченко, И. А. Дементьев, П. С. Шичёв. – Ухта : УГТУ, 2013. – 23 с., ил.

Методические указания и контрольные задания предназначены для выполнения контрольных работ по дисциплине «Физические основы электроники» для бакалавров-заочников II курса по направлению «Электроэнергетика и электротехника»

(140400).

В методических указаниях даётся задание на выполнение контрольных работ и формулируются требования к их оформлению. Приводятся примеры расчёта задач.

УДК 621.38(075.8) ББК 32.85я Содержание методических указаний и контрольных заданий соответствует рабочей учебной программе.

Методические указания и контрольные задания рассмотрены и одобрены кафедрой ЭАТП от 06.09.2013, пр. №01, и предложены для издания.

Рецензент: А. Э. Старцев, доцент кафедры ЭАТП УГТУ, к.т.н.

Редактор: Е. В. Тетеревлёва, доцент кафедры ЭАТП УГТУ.

Корректор: К. В. Коптяева.

Технический редактор: Л. П. Коровкина.

В методических указаниях и контрольных заданиях учтены предложения рецензента и редактора.

План 2013 г., позиция 66.

Подписано в печать 31.10.2013. Компьютерный набор.

Объем 23 с. Тираж 100 экз. Заказ №279.

© Ухтинский государственный технический университет, 169300, Республика Коми, г. Ухта, ул. Первомайская, д. 13.

Типография УГТУ.

169300, Республика Коми, г. Ухта, ул. Октябрьская, д. 13.

Введение Предмет «Физические основы электроники» занимает особое место в системе подготовки специалистов специальности ЭАП. Знания, умения, навыки, полученные студентами при изучении данной дисциплины, являются основой для успешного усвоения учебного материала большинства спецдисциплин, так как рассматриваемые электронные приборы и схемы являются важнейшими элементами микропроцессорных систем, устройств автоматики и информационно-вычислительной техники.

Программа дисциплины базируется на знаниях, полученных в курсах «Физика», «Математика», «Теоретические основы электротехники». В результате изучения дисциплины студент должен:

- иметь представление об электронике и схемотехнике, их роли в современном мире, истории развития элементной базы;

- знать физические процессы и способы управления потоками заряженных частиц в электронных приборах, а также основные параметры, характеристики, особенности и маркировку электронных приборов;

- уметь рассчитывать параметры, элементы электрических и электронных устройств;

- измерять характеристики приборов и схем;

- работать со справочниками по электронным приборам и интегральным схемам.

Общие методические указания к контрольным работам Контрольные работы выполняют в отдельной тетради, на обложке которой указывают наименование факультета, дисциплины, фамилию, имя и отчество студента, его домашний адрес, номер учебного шифра.

При оформлении каждой задачи следует приводить полную запись условия задачи, таблицу с исходными данными своего варианта, исходную схему с принятыми буквенными обозначениями. Все элементы схем, приводимые в работе, должны вычерчиваться в строгом соответствии с требованиями стандартов. Графики характеристик для решения задач должны быть точно вычерчены на миллиметровой бумаге, в масштабе, удобном для отсчётов. На осях координат должны быть указаны откладываемые значения и единицы их измерения. Под всеми рисунками указывается их название и ставится порядковый номер.

При оформлении контрольной работы нужно указать необходимые расчётные формулы. Расчёты должны сопровождаться пояснительным текстом. Числовые значения величин следует подставлять в основных единицах. Окончательный результат расчёта должен быть вычислен с точностью до трёх значимых цифр. В конце работы необходимо привести список использованной литературы, поставить дату окончания работы и свою подпись.

Контрольная работа 1 заключается в решении пяти задач и ответе на два вопроса. Номер варианта вопросов и двух последних задач (4, 5) определяется путём последовательного вычитания числа 20 из числа образованного двумя последними цифрами учебного шифра до тех пор, пока не образуется число, не превышающее число 20. Номер варианта задач 1, 2, 3 определяется по последней цифре шифра.

Контрольная работа 2, составленная на 50 вариантов, заключается в решении одной задачи. Вариант определяется двумя последними цифрами шифра. Если две последние цифры более 50, то для определения номера варианта необходимо вычесть 50.

КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА

Задача Начертите схему включения p-n перехода, соответствующую заданному состоянию; покажите токи, протекающие через p-n переход, их направление и соотношение; укажите порядок величины результирующего тока.

Таблица Номер варианта Состояние p-n-перехода Прямое включение Методические рекомендации по решению задачи 1.1. Приведите условие задачи и таблицу с вашим вариантом задания.



1.2. Начертите заданную схему включения p-n-перехода с указанием на ней запирающего слоя, направления движения основных и неосновных носителей заряда.

1.3. Укажите приблизительную величину результирующего тока, протекающего через p-n-переход в заданном состоянии.

По заданной маркировке диода определите его тип, дайте ему полную техническую характеристику, укажите физический смысл и рассчитайте заданный параметр.

Ответ должен содержать:

1) таблицу с выписанным заданием своего варианта;

2) расшифровку маркировки заданного типа диода;

3) запись определения данного типа диода;

краткий ответ, какое свойство p-n-перехода используется в этом типе диода;

типовую характеристику;

ответ о физическом смысле и расчёт заданного параметра.

Методические рекомендации по решению задачи 2.1. Приведите задание и таблицу с вашим вариантом задания.

2.2. Пользуясь справочником, разберитесь в системе принятых обозначений полупроводниковых диодов. Расшифруйте маркировку заданного диода.

2.3. Определив по маркировке тип заданного диода, приведите запись определения данного диода.

2.4. Разберитесь в принципе действия рассматриваемого диода. Приведите схему включения диода.

2.6. Приведите характеристику рассматриваемого диода. На ней выделите рабочий участок.

2.7. Укажите область применения заданного типа диода.

2.8. Объясните физический смысл заданного параметра и приведите формулу его расчёта.

По справочнику выберите биполярный транзистор согласно условию своего варианта. Выполните необходимые вычисления, построения и сделайте выводы. Укажите физический смысл заданного параметра.

Ответ должен содержать:

1) таблицу с выписанным заданием своего варианта;

2) таблицу с обозначением выбранного транзистора и его справочными данными;

3) запись определения биполярного транзистора;

4) заданную схему включения транзистора;

5) запись о том, какие токи и напряжения являются для данной схемы входными и выходными;

6) особенности данной схемы включения;

7) входную и выходные характеристики транзистора, включённого с ОЭ;

8) расчёт и построение нагрузочной прямой с обозначением на выходных характеристиках величин: Eк; Iк.р.т.; Uкэ р.т.; URн; Iк=Eк/Rн;

9) данные режима работы транзистора;

10) таблицу расчёта линии допустимых режимов, построение этой линии на выходных характеристиках, вывод о допустимости работы транзистора в заданном режиме;

11) обозначение на выходных характеристиках транзистора областей насыщения и отсечки;

12) ответ о физическом смысле заданного параметра;

13) расшифровку маркировки заданного транзистора.

наименьшая динамический 3.1. Приведите условие задачи и таблицу с вашим вариантом задания. Некоторые графы этой таблицы окажутся незаполненными. После решения задачи и нахождения всех значений недостающих величин заполнять пустые клетки не требуется.

3.2. Для выбора транзистора следует использовать справочник. Нужно отыскать все транзисторы с заданной fгр. Затем из этой группы выбрать тот единственный, который удовлетворяет второму условию выбора. Выбрав транзистор, приведите в тетради таблицу с его справочными данными по форме:

транзистора транзистора 3.3. Запишите определение биполярного транзистора.

3.4. Начертите схему, соответствующую режиму работы и схему включения биполярного транзистора.

3.5. В соответствии со схемой включения транзистора запишите, какие токи и напряжения являются входными, какие – выходными.

3.6. Приведите особенности схемы включения, проанализировав эту схему по ряду показателей: Rвх, Rвых, KI, KU, КP. Дайте качественную и количественную характеристику этим показателям.

3.7. Постройте входную и выходную характеристики транзистора, используя справочник.

3.8. Постройте нагрузочную прямую транзистора, используя уравнение нагрузочной прямой: U кэ = Е к I к Rн. В тетради обязательно приведите пояснение построения нагрузочной прямой: по каким точкам построена, координаты этих точек, расчёт координат.

3.9. Имея положение рабочей точки на выходных характеристиках, перенесите её на входную характеристику при U кэ 0. Определите координаты рабочей точки.

3.10. Постройте линию допустимых режимов работы транзистора, используя соотношение: I к U кэ = Pк. max. По графику сделайте вывод о допустимости использования заданного режима работы транзистора.

3.11. В импульсных и вычислительных устройствах транзисторы используются в режимах отсечки и насыщения.

3.12. Поясните физический смысл заданного параметра.

3.13. Расшифруйте маркировку транзистора.

При решении задач нужно иметь в виду, что обычно расчёт сопротивлений резисторов и параметров других элементов производится с точностью порядка нескольких процентов. Поэтому после расчёта следует округлять результат, оставляя не более двух-трёх значащих цифр. По той же причине часто при расчёте можно пользоваться упрощёнными формулами. Например, при расчёте режимов работы транзисторов можно пренебречь напряжением между базой и эмиттером по сравнению с напряжением источника питания (в случае открытого транзистора). Точно также можно полагать, что в режиме насыщения транзистора напряжение между коллектором и эмиттером равно нулю. Обычно оно бывает порядка 0,1 В, и им чаще всего можно пренебречь по сравнению с напряжением источника питания. При расчётах транзисторных схем можно также считать, что коллекторный ток транзистора практически не зависит от напряжения на коллекторе и равен произведению тока базы на коэффициент передачи тока из базы в коллектор. При этом статический коэффициент передачи тока для больших сигналов считают равным коэффициенту передачи тока для малых сигналов h21Э.



Pages:     || 2 | 3 | 4 |
 

Похожие работы:

«1 Министерство образования РФ Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет ЛЭТИ ОСНОВЫ СЕТЕВЫХ ТЕХНОЛОГИЙ Учебное пособие Санкт-Петербург Издательство СПбГЭТУ ЛЭТИ' 2000 2 УДК 681.324:621.391.1 ББК 3973.202 + 388 О- 7 5 Авторы: А.В Горячев, Н.Е. Новакова, А. В. Нисковский, С.В. Полехин. Основы сетевых технологий: Учеб пособие. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ ЛЭТИ, 2000. 64 с. Определяют ся основны е понят ия сет евы х т ехнолог ий, рассматриваются составляющие для построения...»

«1 Министерство образования и науки РФ Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет ЛЭТИ О. В. Альмяшева В. В. Гусаров О. А. Лебедев Поверхностные явления Учебное пособие Санкт-Петербург Издательство СПбГЭТУ ЛЭТИ 2004 2 УДК 541.18 (075) ББК Г58 я7 А 57 Альмяшева О.В., Гусаров В.В., Лебедев О.А. Поверхностные явления: Учеб. пособие. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ ЛЭТИ, 2004. 28 с. Содержит основные сведения о термодинамической и кинетической теориях поверхностных явлений, об эффектах,...»

«МОСКОВСКИЙ АВТОМОБИЛЬНО-ДОРОЖНЫЙ ИНСТИТУТ (ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ) К.Г. МАНУШАКЯН ТЕХНИЧЕСКИЕ СРЕДСТВА ТЕЛЕМАТИКИ. КУРС ЛЕКЦИЙ ПО МИКРОПРОЦЕССОРНОЙ ТЕХНИКЕ. ЧАСТЬ 1 Учебное пособие Утверждено в качестве учебного пособия редсоветом МАДИ (ГТУ) Москва 2007 УДК681.5:004.382.7 ББК32.965:32.973.26-04 К.Г. Манушакян Технические средства телематики. Курс лекций по микропроцессорной технике. Учебное пособие.- М.: МАДИ (ГТУ), 2007 – 23с. Рецензенты: А.М. Васьковский - д.т.н., проф....»

«Министерство образования Республики Беларусь Учреждение образования Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники Кафедра теоретических основ электротехники ЭЛЕКТРОТЕХНИКА И ОСНОВЫ ЭНЕРГОСБЕРЕЖЕНИЯ Методическое пособие к выполнению лабораторных работ для студентов специальностей Автоматизированные системы обработки информации, Информационные технологии и управление в технических системах, Автоматическое управление в технических системах всех форм обучения Минск 2003 УДК...»

«РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК СИБИРСКОЕ ОТДЕЛЕНИЕ ИНСТИТУТ СИСТЕМ ЭНЕРГЕТИКИ ИМ. Л.А. МЕЛЕНТЬЕВА МИНИСТЕРСТВО ОБЩЕГО И ПРОФЕССИНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ РФ ИРКУТСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ УЧЕБНО-НАУЧНЫЙ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ ЦЕНТР ИрГТУ–ИСЭМ Н.И. Воропай ТЕОРИЯ СИСТЕМ для электроэнергетиков Учебное пособие для студентов электроэнергетических специальностей Рекомендовано Учебно-методическим объединением по образованию в области энергетики и электротехники Новосибирск Наука Сибирская...»

«МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ УКРАИНЫ ХАРЬКОВСКАЯ НАЦИОНАЛЬНАЯ АКАДЕМИЯ ГОРОДСКОГО ХОЗЯЙСТВА И. Н. Золотарева, Л. Ф. Крутовая, А. С. Пономарев, О. В. Хомякова РЕЦЕНЗИРОВАНИЕ И ОБЗОРНОЕ РЕФЕРИРОВАНИЕ ТЕКСТОВ ПО СПЕЦИАЛЬНОСТИ УЧЕБНОЕ ПОСОБИЕ ПО РУССКОМУ ЯЗЫКУ для иностранных студентов 4 курса направлений подготовки: 6.020107 Туризм; 6.030504 Экономика предприятия; 6.030509 Учет и аудит; 6.030601 Менеджмент; 6.050701 Электротехника и электротехнологии; 6.060101 Строительство; 6.060102...»

«МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ИНФОРМАЦИОННЫХ ТЕХНОЛОГИЙ, МЕХАНИКИ И ОПТИКИ Н.Ю. Иванова, Е.Б. Романова ИНСТРУМЕНТАЛЬНЫЕ СРЕДСТВА КОНСТРУКТОРСКОГО ПРОЕКТИРОВАНИЯ ЭЛЕКТРОННЫХ СРЕДСТВ Учебное пособие Санкт-Петербург 2013 УДК 004.896 Иванова Н.Ю., Романова Е.Б., средства Инструментальные конструкторского проектирования электронных средств Учебное пособие. СПб: НИУ ИТМО, 2013. 121 с. В учебном пособии рассмотрены...»

«База нормативной документации: www.complexdoc.ru А.В. Сакара ОРГАНИЗАЦИОННЫЕ И МЕТОДИЧЕСКИЕ РЕКОМЕНДАЦИИ ПО ПРОВЕДЕНИЮ ИСПЫТАНИЙ ЭЛЕКТРООБОРУДОВАНИЯ И АППАРАТОВ ЭЛЕКТРОУСТАНОВОК ПОТРЕБИТЕЛЕЙ Москва Энергосервис 2004 Организационные и методические рекомендации по проведению испытаний электрооборудования и аппаратов электроустановок потребителей — М.: ЗАО Энергосервис, 2004. — 240 с Сакара Александр Автор: кандидат технических наук Васильевич. Титова Под редакцией кандидата технических наук...»

«НАЦИОНАЛЬНАЯ АКАДЕМИЯ НАУК УКРАИНЫ Институт проблем моделирования в энергетике им. Г.Е. Пухова Отделение гибридных моделирующих и управляющих систем в энергетике МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ УКРАИНЫ Национальный авиационный университет Кафедра электротехники и светотехники В.В. Васильев, Л.А. Симак, А.М. Рыбникова МАТЕМАТИЧЕСКОЕ И КОМПЬЮТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ И СИСТЕМ В СРЕДЕ MATLAB/SIMULINK. Учебное пособие Киев – 2008 УДК 681.3 Авторы: В.В. Васильев, Л.А. Симак, А.М. Рыбникова...»

«Б.А.Сокунов, Л.С.Гробова ЭЛЕКТРОТЕРМИЧЕСКИЕ УСТАНОВКИ (ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПЕЧИ СОПРОТИВЛЕНИЯ) Федеральное агентство по образованию ГОУ ВПО Уральский государственный технический университет – УПИ Б.А.Сокунов, Л.С.Гробова ЭЛЕКТРОТЕРМИЧЕСКИЕ УСТАНОВКИ (ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПЕЧИ СОПРОТИВЛЕНИЯ) УЧЕБНОЕ ПОСОБИЕ Научный редактор проф., д-р техн. наук Ф.Н.Сарапулов Допущено учебно-методическим объединением по профессионально-педагогическому образованию в качестве учебного пособия для студентов специальности...»




 
© 2013 www.dis.konflib.ru - «Бесплатная электронная библиотека»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.